Dans le domaine de la fabrication de l'équipement semi-conducteur, les anneaux de porte Polysicicon sont des composants clés du processus de fabrication des puces. Lors de la promotion de la localisation des composants centraux, un fabricant domestique d'équipement de semi-conducteur a rencontré un problème de traitement difficile - il était nécessaire de terminer le broyage des contour intérieurs de haute précision et le traitement des rainures sur les anneaux de polysilicon avec un diamètre de 290 mm et une épaisseur de 45 mm, et les processus traditionnels étaient difficiles pour répondre aux besoins de production de masse.
Procédément des antécédents et des points douloureux de l'industrie
A. Traitement des antécédents
En raison de ses excellentes propriétés semi-conductrices, le polysilicon est largement utilisé dans les parties structurelles de la porte d'équipements tels que les implantes et les gravures. De tels composants doivent supprimer plus de 7 0% du matériau à travers plusieurs processus de broyage, tout en garantissant que la rondeur de contour intérieur est inférieure ou égale à 0. 005 mm et que la tolérance de largeur de la rainure est de ± 0,01 mm, ce qui impose des exigences strictes sur la stabilité de l'équipement de traitement et de la durée de vie de l'outil.
B. Dilemme du traitement traditionnel
1. Les machines de broyage traditionnelles ont une faible efficacité de traitement et une seule pièce prend plus de 8 heures
2. Le taux d'écaillage pendant le traitement des emplacements est élevé que 35%, ce qui entraîne un coup de lot
3. L'écart de rondeur du cercle intérieur est> 0. 015mm, ce qui affecte l'uniformité de l'équipement de distribution du plasma
Bishhen solutions: Technologie à ultrasons + fonctionnement collaboratif à haut débit
Compte tenu des caractéristiques de traitement des matériaux durs et fragiles de Polysilicon, l'équipe technique de Bishen a personnalisé une solution trois en un:
1. Système de gravure et de fraisage de précision à ultrasons: Les vibrations à haute fréquence de 20 kHz réduisent la résistance à la coupe de 50%
2. DDR Vertical à grande vitesse à grande vitesse: 3000 tr / min ± 1 "
3. Solution d'outil composite de gradient:
Des outils enduits de diamant sont utilisés pour l'élimination rapide des matériaux pendant le traitement rugueux
Les outils PCD ultrasoniques sont commutés pour un traitement fin
Les données mesurées rafraîchissent l'indice benchmark
Dans la vérification de la ligne de production client, la solution de Bishen a obtenu:
L'efficacité de traitement a augmenté de 2,8 fois et le temps de traitement d'une seule pièce a été comprimé à 2,8 heures
Le taux d'écaillage de la fente a été réduit de 35% à 0. 5% ou moins
La rondeur du cercle intérieur est contrôlée de manière stable à 0. 003-0. 005 mm
La rugosité de surface a moins ou égale à 0. 4μm, ce qui est mieux que le niveau de traitement de l'équipement importé
Cette percée a augmenté le taux de qualification de production de masse des anneaux de porte Polysicicon des clients de 61% à 98,7%, en remplacement avec succès des pièces importées.
à proposBishen
Bishenest profondément impliqué dans le domaine de la fabrication de précision depuis plus de dix ans, en se concentrant sur la résolution des problèmes de transformation "au cou" dans les semi-conducteurs, photovoltaïques et autres industries. Les 7 500 mètres carrés de l'entreprise de Smart Factory sont équipés de modules de technologie de base tels que le traitement assisté par ultrasons et la liaison à cinq axes. Il a fourni des solutions clés de traitement des pièces pour plus de 20 fabricants d'équipements de semi-conducteurs intérieurs. Les technologies pertinentes ont réussi une certification spéciale ISO9001 et l'équipement semi-conducteur et continuent d'aider le processus d'indépendance des équipements de fabrication haut de gamme.
